450 mmウェハ対応液浸露光装置

G450CにてArF液浸スキャナー「NSR-S650D」パターニング開始

2015年7月9日PRESS RELEASE/報道資料

株式会社ニコン(社長:牛田 一雄、東京都港区)は、G450C(Global 450 Consortium)のマイルストーンに基づき、米国SUNY Polytechnic Institute's Colleges of Nanoscale Science and Engineering (SUNY Poly CNSE) へ納入した450 mmウェハ対応ArF液浸スキャナー「NSR-S650D」で、間もなくパターニング(実機での露光作業)を開始します。

2013年7月、ニコンはResearch Foundation for the State University of New York(ニューヨーク州立大学の研究財団、SUNY研究財団)との間で、450 mmウェハ対応ArF液浸スキャナー(NSR-S650D)の契約および受注を致しました。この契約スケジュールに基づき、2015年春に装置を出荷、パターニングを開始します。

SUNY Polytechnic Institute プレジデント兼CEO Dr. Alain E. Kaloyeros氏のコメント

「ニコンの露光装置によるパターニング開始は、ニューヨーク州とCuomo州知事が提唱する次世代半導体チップ開発へ大きな弾みとなり、世界の半導体産業を牽引する技術ロードマップへ大きな一歩となります。」

(株)ニコン 常務執行役員 半導体装置事業部長 馬立稔和のコメント

「2013年の契約締結以来、当社は450 mmウェハ対応機の開発プログラムを着実に進めてまいりました。この春NSR-S650Dを無事出荷し、ウェハのパターニングを開始することとなりました。コンソーシアムを通じて多くのパートナーと密接に協力し、G450Cのマイルストーン達成に貢献したいと思います。今後もリソグラフィー技術の革新と半導体製造業界の更なる発展へ尽力してまいります。」

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ArF液浸スキャナー「NSR-S650D」
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ArF液浸スキャナー「NSR-S650D」の搬入

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