ニコン半導体露光装置の露光特性情報をモジュールに反映し、OPCモデリングの精度を向上させ、半導体チップ完成までにかかる期間を短縮ニコンとシノプシス
45ナノメートル以降に対応するDFMソリューションを発表
2007年9月19日
株式会社ニコン（社長 苅谷道郎）と半導体設計ツールの世界的リーダーであるシノプシス（NASDAQ上場コード:SNPS)は本日、シノプシスのOPCツール「Proteus」の最新版に、ニコンの半導体露光装置の固有の露光特性情報を反映させたことを発表しました。両社は協業活動の一環として、固有の露光特性情報を反映させたスキャナ・パラメータモジュールを共同開発し、45ナノメートル以降のIC製造に必要となるOPC(Optical Proximity Correction:光学近接効果補正)およびRET(Resolution Enhancement Technology:超解像技術)のシミュレーションモデルを製造工程に適した形で実現しました。これにより、両社に共通のお客様にとっては、OPCモデルの精度を向上し半導体チップ完成までにかかる期間を短縮できます。
- ※ DFM：Design For Manufacturing
45ナノメートル以降では、1ナノメートルレベルでの線幅制御が必要となり、OPCモデルおよびRETモデルに加え、半導体露光装置の性能も極限まで高めなくてはなりません。従来のOPC設計ツールは、半導体露光装置の理想化されたモデルを使用してマスク上のパターンの光学近接効果補正(OPC)を行っていますが、実際にはマスクパターンを繰り返し調整し、シミュレーションモデルと露光したウェハーパターンを比較しなければ、マスクパターンを最適化することはできません。従来の方法では、正確かつ予測性の高いモデルの生成が難しく、微細パターンでのOPCには適切であるとは言えません。
この課題を克服するため、昨年9月よりニコンとシノプシスは先端デバイスでの製造に伴う開発コスト増加の負担を軽減する、製造工程に適したOPCソリューションの提供を目標と掲げ、より精度の高いOPCモデルを両社共通のお客様に提供するための協業を開始しました。共同開発されたインターフェースにより生成されたモデルは、従来のOPCモデルでは予測できなかった露光による描画の影響を正確に予測することができるため、「Proteus」のユーザーは、偏光フレア、同期精度、様々な収差データといった高次の露光特性に関するニコンの半導体露光装置固有の情報に自動的にアクセスすることができます。(45ナノメートル以下の解像度を持つNSR-S610Cをはじめ、NSR-S609B, NSR-S308Fが対象となります)。
ニコンとシノプシスとの協業により、OPCのモデリング精度が格段に向上し、OPCモデルの構築にかかる時間を短縮することができます。この新機能は「Proteus」の最新版からご利用いただけます。
ニコンでは、露光装置の固有データを最新版「Proteus」のソフトウエアに取り込むことにより、OPCマスクの精度を向上させ、最適化に要する時間を短縮することができ、ニコンのお客様の競争力をさらに向上することが可能と考えております。
- シノプシスについて
- Synopsys, Inc. (NASDAQ: SNPS) はIC設計向け電子設計自動化ソフトウエア（EDAツール）の世界的リーダーです。最先端技術を用いたIC設計プラットフォームと検証プラットフォーム、およびマニュファクチャリングとイールド最適化ソリューション、設計資産（IP）およびデザイン・コンサルティング・サービスを世界中のエレクトロニクス市場向けに提供。これらソリューションにより、複雑なIC回路やエレクトロニクスシステムの開発と製造を実現しています。この包括的なソリューションを通して、パワーマネジメント、歩留まり達成までの時間（Time to Yield）の短縮、システム設計からシリコン実装まで（System-to-Silicon）を網羅する検証など、設計から製造までの工程で今日、直面している課題に対応しています。カリフォルニア州マウンテンビューに本社を置き、北米、ヨーロッパ、日本、アジアなどに60カ所以上の事業所を持つ。詳細な情報は、www.synopsys.com より入手可能です。
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