PRESS RELEASE/報道資料

台湾の半導体メモリー大手がニコンの装置を選択力晶半導体(Powerchip Semiconductor Corporation)、次世代メモリーラインにニコンの液浸スキャナーを採用

2006年12月14日

　株式会社ニコン(社長:苅谷道郎)は、力晶半導体(Powerchip Semiconductor Corporation)が50ナノメートルノードNANDフラッシュメモリー生産対応の最先端装置として、ニコンのArF液浸スキャナーNSR-S610Cを正式採用すると発表しました。装置は台湾・新竹の力晶半導体の工場に設置されます。今回の採用は、他社装置と比較してニコンの装置に液浸起因の欠陥がなく、また同装置が従来のドライタイプArFスキャナーと同等以上の重ね合わせ精度を実現したことが認められたものです。

　NSR-S610Cは、2006年1月に出荷した世界で初めてNA(開口数)1以上(1.07)を実現した液浸スキャナーNSR-S609Bで培った液浸露光技術を生かして開発されました。ニコンの独自技術であるタンデムステージにより高スループット、高アライメント精度、安定した露光プロセスを実現しました。また独自のローカルフィルノズルにより液浸起因による欠陥(ディフェクト)をほぼ完全に防ぐとともに、ドライと同等以上の重ね合わせ精度も実現しています。NSR-S610Cは、投影系にNA1.30の反射屈折光学系を搭載した、世界初の45ナノメートルハーフピッチ量産対応液浸スキャナーです。

関連リンク
  • こちらに掲載されている情報は、発表日現在の情報です。販売が既に終了している製品や、組織の変更等、最新の情報と異なる場合がありますのでご了承ください。