EUVLシステムの本格的装置開発をスタート
2004年1月14日
株式会社ニコン（社長：嶋村 輝郎）は将来光リソグラフィー装置として極端紫外線（EUV：Extreme Ultraviolet）を用いた縮小露光（EUVL）の本格的な装置開発を開始いたします。ニコンはEUVLを次世代DRAM（45nmプロセス）およびMPU（32nmプロセス）の量産を可能にする装置として、初号機の2006年完成を目指します。
EUVLは次々世代の半導体製造を実現する究極の露光技術と目されています。現在量産が行われている回路線幅100nmレベルの半導体を飛躍的に小型化する、線幅45nm以下での製造を可能とするこの技術には、波長13.5nmの光を十分に得られる光源を始めとして、超高精度な反射ミラーを必要とする投影光学系、超精密計測システムなど、多くの先進技術の開発が必要となります。
当社はこれまで長年にわたり独自に基礎研究を進めるとともに、2002年6月に設立されたEUVA（Extreme Ultraviolet Lithography System Development Association＝技術研究組合 極端紫外線露光システム技術開発機構）にも参画し、NEDO技術開発機構の委託により、各種要素技術開発を推進してきました。
また2003年1月には社内に、半導体メーカーの実践的な要求を踏まえたEUVL技術の開発を専門に行う「EUVL開発部」を設置しています。これらの積極的な開発によりニコンはEUVL装置開発に本質的な技術困難がないと判断し、本格的な装置開発を行うことを決定しました。
当社は業界トップのシェアとテクノロジーリーダーの地位を確固たるものとするため、既存製品から次世代、次々世代の開発までを顧客ニーズに合わせて行っており、昨年において4機種の新製品を市場に投入しました。また12月には、2005年を目処にArF液浸露光技術を搭載した装置を出荷するための積極的な開発計画も発表しています。
※ EUVA（技術研究組合 極端紫外線露光システム技術開発機構）
EUVL技術の研究開発を調整、促進することを目的として設立され、経済産業省の支援のもと、EUVL関連の民間9社で構成されています。2002年6月の設立以来、NEDO技術開発機構の委託事業として、EUVL装置に必要とされる光源と露光機の要素開発及び光学系波面計測技術の開発を推進しています。
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