DUVスキャナーとのミックス&マッチに威力を発揮ニコン縮小投影型露光装置 NSR-SF120の販売開始について

販売概要

開発の背景

当社では現在、150 ナノメートルから 130 ナノメートルへと加速する、デザインルールの微細化に対応する「NSR-S204B / NSR-S205C」を販売し、最先端半導体製造ラインの主流となっています。また今春からは、世界初の N.A.0.78 という超高 N.A. 縮小投影レンズを搭載し、100 ナノメートル以下の高解像度を ArF エキシマレーザで可能とする「NSR-S306C」の受注を開始しています。

当社は、最先端半導体製造ラインにおける、レンズスキャニング方式のKrFエキシマステッパーとのミックス&マッチに主眼を置いた新コンセプトの一括型i線ステッパー、「NSR-SF100」を業界に先駆け開発し、2000(平成12)年1月より受注を開始しました。全レイヤ（約20数レイヤ）の約半分を占めるノンクリティカルレイヤの露光に最適化した本装置は、スキャナーと共通化した縮小倍率と露光領域、充分な解像度や高いスループットなど、トータルバランスとコストパフォーマンスに優れた露光機として、生産性の向上と製造ラインのトータル投資コストの低減に貢献し、好評を得ています。

今回発表の「NSR-SF120」は、新開発の高N.A.縮小投影レンズを搭載することで 280 ナノメートル以下という飛躍的に高い解像度を実現。130～100 ナノメートル世代のノンクリティカルレイヤ露光にその威力を十分に発揮するとともに、300ミリウェハ時代を見据えた高いスループットを両立しています。

主な特長

• 広露光領域＆高解像度&高スループット

  25×33ミリメートルという、スキャニング方式ステッパーと同様の広い露光領域を、一括型ステッパーで確保するとともに、新開発の高 N.A.（0.62）縮小投影レンズを搭載し、280 ナノメートル以下の高解像度を達成しています（当社従来機種 = N.A. 0.52 / 解像度 400 ナノメートル）。更にスループットも、ライン構築が活発化する300ミリウェハでは、業界最高水準となる 1 時間あたり 100 枚以上（当社従来機種比、25 % 向上）を実現しています。

• ミックス・アンド・マッチに最適

  「NSR-SF120」は、スキャニング方式の KrF エキシマステッパー「NSR-S204B / NSR-S205C / NSR-S206D」及び同 ArF エキシマステッパー「NSR-S305B / NSR-S306C」とのオペレーションの共通化を図っています。130 ナノメートル、デザインルール対応に留まらず、将来の 120 ナノメートル対応半導体量産ライン、更にはスキャニング方式の ArF エキシマステッパーでの量産が開始されるであろう、100 ナノメートル対応ラインのミックス＆マッチ露光装置としても活躍します。

主な仕様