超高N.A.レンズを搭載した高スループットKrFスキャナーニコン縮小投影型露光装置「NSR-S205C」を7月受注開始
2000年7月4日
株式会社ニコン（社長：吉田 庄一郎）は、超高 N.A.※ レンズを搭載し、150 nm（ナノメートル）から 130 nm ルールの最先端デバイスの量産を KrF エキシマレーザで可能とした第 5 世代のレンズスキャン型（レンズスキャニング方式）KrF エキシマステッパー、ニコン縮小投影型露光装置「NSR-S205C」を開発し、平成12(2000)年7月から受注を開始いたしました。
「NSR-S205C」は、KrF エキシマレーザ（波長 248nm）露光光源に対応した世界初の超高N.A.（N.A. 0.75）投影レンズを搭載し、φ200mm ウェハで 1 時間あたり140 枚以上の高いスループットを誇ります。また、平成13(2001)年からライン構築が予想されている φ300mm ウェハによる本格的な製造ラインにも対応いたします。
- ※「N.A.」：N.A.（＝開口数）は、レンズの明るさを表す指標のひとつ。この N.A. 値が高いほど解像度が向上し、より微細な回路パターンをウェハ上に焼き付けることが可能。
開発の背景
IT（情報・技術）革命の根幹を担う超 LSI。その高集積化はとどまるところを知りません。今日では、64MDRAM、128MDRAM の量産が開始され、更には 256MDRAM や 512MDRAM の量産に移行しようとしています。弊社はこの時代の潮流に対応し、平成7年(1995)年4月に世界初のレンズスキャニング方式ステッパー「NSR-S201A」を発売。以後、当社のレンズスキャン型ステッパー（"スキャナー"）は、世界中の半導体メーカーからその性能と信頼性に高い評価を得て、i(I) 線、KrF エキシマレーザ、ArF エキシマレーザ（波長 196 nm）の各機種を合わせて、これまでに250台以上の出荷実績を達成しております。
今回受注を開始した縮小投影型露光装置「NSR-S205C」は、世界初の超高N.A.（N.A. 0.75）投影レンズの搭載で、150nm から 130nm へと加速するデザインルールの微細化要求を、KrF エキシマレーザ光源で実現するものです。
主な特長
- 超高N.A.（0.75）投影レンズを搭載
世界初の N.A. 0.75 を達成した超高 N.A. 縮小投影レンズを搭載。150nm 以下の解像度を実現。また、変形照明技術を用いれば 130nm 以下の解像度も達成し、微細化の進む次世代 DRAM や MPU などの量産に対応。
- スループット（処理能力）と装置安定性を更に向上
ボディを新開発し、振動や温度などの装置への影響を最小限に抑制。スループットも更に向上し、現在主流である φ200mm ウェハで 1 時間あたり 140 枚以上（弊社従来機種比で約16 % 向上）、φ300mm ウェハでは、84枚 / 時以上（同・約12 % 向上）を達成。
- φ300mm ウェハにも対応
平成13(2001)年からライン構築が予想されている φ300mm ウェハによる本格的な製造ラインに対応。ユーザーニーズに合わせて、φ200mm もしくは φ300mm ウェハのいずれかのウェハサイズに対応が可能。
主な仕様
| NSR-S205C | ||
|---|---|---|
| 解像度 | 150nm 以下（通常照明時） | |
| 130nm 以下（変形照明時） | ||
| N.A.（開口数） | 0.75 | |
| 露光光源 | KrF エキシマレーザ（波長248nm） | |
| 縮小倍率 | 1/4 倍 | |
| 総合アライメント精度 | 30nm 以下（｜x｜＋3σ） | |
| スループット | φ200mm ウェハ | 140 枚 / 時以上 |
| φ300mm ウェハ | 84 枚 / 時以上 | |
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