第三世代レンズスキャン型ステッパーニコン縮小投影型露光装置「NSR-S203B」を12月末より受注開始
1998年11月25日
株式会社ニコン（社長：吉田 庄一郎）は、平成11(1999)年夏頃より本格的な量産が開始されると予測されている、0.18 μm（マイクロメータ）以下のデザインルールを採用した次世代 DRAM そして MPU の製造に対応する、第三世代のレンズスキャン型 KrF エキシマステッパー「ニコン縮小投影型露光装置 NSR-S203B」を開発し、平成10(1998)年12月末より受注を開始（価格：未定）いたします。
「NSR-S203B」は、露光光源に KrF エキシマレーザ（波長 248 ナノメータ）を使用し、新開発の高 N.A.※ の縮小投影レンズ（N.A. 0.68）の搭載で、25×33mm という極めて広い露光範囲で、0.18 マイクロメータ以下の高解像度を実現しています。
- ※注「N.A.」：N.A.（＝開口数）は、レンズの明るさを表す指標のひとつです。この N.A. 値が高いほど解像度が向上し、より微細な回路パターンをウェハ上に焼き付けることが可能です。
開発の背景
超LSIの高集積化は日進月歩で進み、今日では 64MDRAM 量産が開始され、128MDRAM、更には256MDRAM 量産のための研究開発も活発におこなわれています。
ニコンでは、この流れに沿って、高集積化実現のための高い解像度と、ICのチップサイズ拡大に合わせた広い露光範囲の両立を可能とする装置の検討をさまざまな観点からおこなった結果、上記の条件を満たすには、レンズによるスキャニング方式のステッパーが最適と判断し、1995(平成7)年4月、 0.25 マイクロメータ以下のデザインルールに対応した世界初のレンズスキャニング方式 KrF エキシマステッパー「ニコン縮小投影型露光装置 NSR-S201A」を販売いたしました。
1997年12月には、約40%ものスループット向上を実現した第二世代のレンズスキャン型 KrF エキシマステッパー「NSR-S202A」の販売を開始。世界中の半導体メーカーから、その性能と信頼性に対する高い評価を得て、これまでに「NSR-S201A」と「NSR-S202A」2 機種合わせて80台の出荷実績を残しております。
今回受注を開始する「NSR-S203B」は、更に加速する微細化への要求に対応する、新開発 N.A. 0.68 の縮小投影レンズを搭載した第三世代のレンズスキャン型 KrFエキシマステッパーです。総合アライメント精度の向上と相まって、0.18 マイクロメータ以下のデザインルールに充分に対応いたします。
主な特長
- 高解像度
「NSR-S203B」は、新開発 N.A. 0.68 の縮小投影レンズを搭載。KrF エキシマレーザを露光光源とするレンズスキャニング方式の採用で、0.18 マイクロメータ以下の高解像度と、25×33mm という極めて広い露光範囲の両立を実現し、微細化の進む次世代 DRAM そして MPU の量産に対応します。
- アライメント精度を約10%向上（当社比）
本体部と操作部（コントロールラック）を一体化してボディの剛性を更に高め、より安定したウェハステージのステッピング動作を可能としました。アライメント精度を約 10 % 向上しています。
- 200mm ウェハ毎時 85 枚以上の高スループット
- 300mm ウェハにも対応
2000(平成12)年頃から量産が始まると予想されている、300mm ウェハを用いた製造ラインにも対応します。ユーザニーズに合わせて 200mm もしくは 300mm いずれかのウェハサイズに対応が可能です。
主な仕様
| NSR-S203B | NSR-S202A | |
|---|---|---|
| 解像度 | 0.18μm | 0.25μm |
| N.A.（開口数） | 0.68 | 0.60 |
| 露光光源 | KrF エキシマレーザ（波長248nm） | |
| 縮小倍率 | １ / 4 倍 | |
| 露光範囲 | 25×33 mm | |
| 総合アライメント精度 | 40 nm 以下（｜x｜＋3σ） | 45nm 以下（｜x｜＋3σ） |
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